吳漢明

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吳漢明

1987年獲中國科學院力學所博士學位。1991-1993在美國UC-Berkeley博士后,94年中國科學院提升為研究員。而后在美國Intel從事先進光刻研發(fā)工作多年。2001年參加中芯國際并組建了技術中心先進刻蝕工藝研發(fā)部,領導啟動了從90納米到32納米四個技術代CMOS技術的研發(fā)項目。在國內(nèi)外主流刊物和會議的各種邀請報告90余篇;有的研究成果被美國加州Berkeley大學教科書采用。申請專利60多項(12項國際專利)。

國家十一五02重大專項“65-45-32納米CMOS產(chǎn)品成套工藝和產(chǎn)業(yè)化”項目總負責人,國家十二五重大專項“32/28納米CMOS成套產(chǎn)品工藝和產(chǎn)業(yè)化”項目首席科學家。國家973項目“納米磁性自旋存儲器和半導體硅量子點存儲器的研制及其物理研究”首席科學家。其中“90-65納米大生產(chǎn)關鍵工藝技術“獲得2008年國家科技進步二等獎和教育部2007年科技進步一等獎,“65-45納米技術產(chǎn)業(yè)化”成果獲北京市2012年科技進步一等獎。

曾經(jīng)擔任2007年國際半導體技術年會(ISTC2007)工藝分會主席。2010年中國國際半導體技術年會(CSTIC2010)被選為大會主席。目前還兼任北京大學兼職教授,復旦大學和西安電子科技大學的客座教授?,F(xiàn)任中芯國際集成電路制造有限公司技術研發(fā)副總裁。國家02重大專項總體專家組成員。

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